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| Numero de parte | BSH205,215 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 750mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 680mV @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 9.6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 417mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 430mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23
En stock: 15000
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
En stock: 15000
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23
En stock: 0
