Numero de parte | JANTXV2N3879 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 7A |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 75V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.2V @ 400mA, 4A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 25mA (ICBO) |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 5V |
Potencia - Max | 35W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-213AA, TO-66-2 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-66 (TO-213AA) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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