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| Numero de parte | JANTX2N6790U |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 800mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Paquete / caja | 18-BQFN Exposed Pad |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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