Numero de parte | JANTX2N6058 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 80V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Potencia - Max | 150W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-204AA, TO-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 4