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| Numero de parte | JANTX2N3811 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 60V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
| Potencia - Max | 350mW |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-78-6 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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