Numero de parte | JANTX2N3739 |
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Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de transistor | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 300V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 2.5V @ 25mA, 250mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 100µA (ICBO) |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 250mA, 10V |
Potencia - Max | 20W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / caja | - |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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