Numero de parte | JANS2N5416U4 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 300V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potencia - Max | 1W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete de dispositivo del proveedor | U4 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200MA DO35
En stock: 500
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
En stock: 1
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
En stock: 500
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 15V 500MW DO213AA
En stock: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 27V 500MW DO213AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
En stock: 762
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 47V 500MW DO213AA
En stock: 500
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO204AL
En stock: 491