Numero de parte | APT75DQ60BG |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 75A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.5V @ 75A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 31ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 600V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-247-2 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
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