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| Numero de parte | APT60DF100HJ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Single Phase |
| Tecnología | Standard |
| Voltaje - Pico Inverso (Máx) | 1000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 90A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.8V @ 60A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
En stock: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
En stock: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
En stock: 0
