Numero de parte | APT13F120B |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4765pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 625W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 7A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30