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| Numero de parte | SPU02N60S5BKMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
En stock: 380
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
En stock: 0
