Infineon Technologies SPA11N60C3XKSA1

Numero de parte: SPA11N60C3XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
1.54500/pcs
10 pcs
1.46650/pcs
100 pcs
1.17835/pcs
500 pcs
0.91649/pcs
1,000 pcs
0.75938/pcs

Total:1.54500/pcs

Unit Price:

1.54500/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	SPA11N60C3XKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-31 Full Pack
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack