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| Numero de parte | IDD03SG60CXTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.3V @ 3A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | 60pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
En stock: 2500
