Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2

Numero de parte: BSS126H6327XTSA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Numero de parte	BSS126H6327XTSA2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 8µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	28pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 16mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23-3
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3