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| Numero de parte | GP2M008A060PG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 2A
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Fabricante: Global Power Technologies Group
Descripción: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
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