Diodes Incorporated DMN3190LDW-7

Numero de parte: DMN3190LDW-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMN3190LDW-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 20V
Potencia - Max	320mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-363