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| Numero de parte | C3M0120090J-TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
| Paquete / caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
En stock: 1726
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 900V 22A
En stock: 417
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH 900V 22A
En stock: 0
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
En stock: 188
Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descripción: 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
En stock: 462
