Numero de parte | RF100419 |
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Estado de la pieza | Active |
Estilo | Inlay |
Tecnología | Active |
Frecuencia | 13.56MHz |
Tipo de memoria | - |
Memoria grabable | - |
Estándares | ISO 15693 |
Temperatura de funcionamiento | -20°C ~ 50°C |
Tamaño / Dimensión | - |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
En stock: 715
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A MSR
En stock: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
En stock: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
En stock: 0