Artikelnummer | VS-ETL015Y120H |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | Trench |
Aufbau | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 22A |
Leistung max | 89W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.03V @ 15V, 15A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 75µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 1.07nF @ 30V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | EMIPAK-2B |
Lieferantengerätepaket | EMIPAK-2B |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Auf Lager: 15
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE HYPERFAST 15A TO-262
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
Auf Lager: 0