Artikelnummer | SUD50NP04-77P-T4E3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel, Common Drain |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
Leistung max | 10.8W, 24W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Lieferantengerätepaket | TO-252-4L |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50A DPAK
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
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