Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SI8900EDB-T2-E1

Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1

Artikelnummer
SI8900EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer SI8900EDB-T2-E1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 10-UFBGA, CSPBGA
Lieferantengerätepaket 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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