Artikelnummer | SI2315BDS-T1-E3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 750mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
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