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| Artikelnummer | TC58NVG0S3HBAI6 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM - NAND |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA
Auf Lager: 181
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA
Auf Lager: 16
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 327
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 63FBGA
Auf Lager: 31
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Auf Lager: 225
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 31
