Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln STX112-AP

STMicroelectronics STX112-AP

Artikelnummer
STX112-AP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
Artikelnummer STX112-AP
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V
Leistung max 1.2W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92AP
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