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| Artikelnummer | GP1S56T |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Sensorabstand | 0.079" (2mm) |
| Wahrnehmungsmethode | Transmissive |
| Ausgangskonfiguration | Phototransistor |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 50mA |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 20mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 35V |
| Reaktionszeit | 38µs, 48µs |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | PCB Mount |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GP 100V 1A DO-41
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GPP 1A 100V DO-204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
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