Artikelnummer | RSQ035P03TR |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.5A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
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