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Rohm Semiconductor RGT80TS65DGC11

Artikelnummer
RGT80TS65DGC11
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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  • 10 pcs

    1.82450/pcs
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    1.64200/pcs
  • 100 pcs

    1.49600/pcs
  • 250 pcs

    1.35004/pcs
  • 500 pcs

    1.21139/pcs
  • 1,000 pcs

    1.02165/pcs
  • 2,500 pcs

    0.97300/pcs
Gesamt:1.94500/pcs Unit Price:
1.94500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer RGT80TS65DGC11
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 70A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Leistung max 234W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 34ns/119ns
Testbedingung 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 58ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247N
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Hersteller: Rohm Semiconductor

Beschreibung: IGBT 650V 70A 234W TO-247N

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