rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Artikelnummer | RF4E080GNTR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.6 mOhm @ 8A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Paket / Fall | 8-PowerUDFN |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: NCH 30V 10A MIDDLE POWER MOSFET
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
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