Zuhause Produkt-Index Überspannung, Überstrom, Temperaturbausteine TVS - Dioden SZESD8351MUT5G

ON Semiconductor SZESD8351MUT5G

Artikelnummer
SZESD8351MUT5G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
TVS - Dioden
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer SZESD8351MUT5G
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle 1
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 3.3V (Max)
Spannung - Ausfall (Min.) 5.5V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 11.2V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls -
Stromleitungsschutz No
Anwendungen Automotive
Kapazität @ Frequenz 0.37pF @ 1MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 2-XFDFN
Lieferantengerätepaket 2-X3DFN (0.62x0.32)
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