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| Artikelnummer | NDDL01N60ZT4G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 92pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 26W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 400mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Auf Lager: 8775
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
Auf Lager: 7500
