Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln MMJT350T1G

ON Semiconductor MMJT350T1G

Artikelnummer
MMJT350T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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    0.10261/pcs
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    0.09554/pcs
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    0.09436/pcs
Gesamt:0.12031/pcs Unit Price:
0.12031/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer MMJT350T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 300V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic -
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Leistung max 650mW
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
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