Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N6039G

ON Semiconductor 2N6039G

Artikelnummer
2N6039G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.37500/pcs Unit Price:
0.37500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2N6039G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Leistung max 40W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3
Lieferantengerätepaket TO-225AA
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