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| Artikelnummer | SI9936DY,518 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 900mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
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