Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln PMV60EN,215

NXP USA Inc. PMV60EN,215

Artikelnummer
PMV60EN,215
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PMV60EN,215
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 280mW (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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