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| Artikelnummer | PMV31XN,215 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 280mW (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V TO-236AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB
Auf Lager: 9000
