Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung PBLS2003S,115

NXP USA Inc. PBLS2003S,115

Artikelnummer
PBLS2003S,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Produktparameter
Artikelnummer PBLS2003S,115
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 20V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Frequenz - Übergang 100MHz
Leistung max 1.5W
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
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