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| Artikelnummer | BUK9E04-30B,127 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6526pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 254W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Auf Lager: 4015
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Auf Lager: 0
