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| Artikelnummer | BUK753R1-40B,127 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6808pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
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