Artikelnummer | 74HCT4353N,112 |
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Teilstatus | Obsolete |
Schaltkreis wechseln | SPDT |
Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung | 2:1 |
Anzahl der Schaltungen | 3 |
On-Zustand Widerstand (Max) | 120 Ohm |
Kanal-zu-Kanal-Anpassung (& Delta; Ron) | 6 Ohm |
Spannung - Versorgung, Single (V +) | 4.5 V ~ 5.5 V |
Spannung - Versorgung, Dual (V ±) | ±1 V ~ 5 V |
Umschaltzeit (Ton, Toff) (Max) | 45ns, 45ns |
-3db Bandbreite | 170MHz |
Ladungsinjektion | - |
Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus)) | 3.5pF |
Strom - Leckage (IS (aus)) (Max) | 100nA |
Übersprechen | -60dB @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paket / Fall | 20-DIP (0.300", 7.62mm) |
Lieferantengerätepaket | 20-DIP |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DHVQFN
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DQFN
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC GATE NAND QUAD 2 IN 14SOIC
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SSOP
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-DIP
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