Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung PDTA113ZM,315

Nexperia USA Inc. PDTA113ZM,315

Artikelnummer
PDTA113ZM,315
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Nexperia

Nexperia

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Produktparameter
Artikelnummer PDTA113ZM,315
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-101, SOT-883
Lieferantengerätepaket DFN1006-3
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