Artikelnummer | BUK6610-75C,118 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 78A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5251pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±16V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 158W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D2PAK |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Auf Lager: 4000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
Auf Lager: 9600
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Auf Lager: 3200
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Auf Lager: 4000
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Auf Lager: 3200
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
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