Artikelnummer | JANTXV2N6306 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 8A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 250V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 2A, 8A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 3A, 5V |
Leistung max | 125W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-204AA, TO-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-204AA (TO-3) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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