Artikelnummer | JANTX2N6251T1 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 10A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 350V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.67A, 10A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 10A, 3V |
Leistung max | 6W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Lieferantengerätepaket | TO-254AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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