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| Artikelnummer | JANTX2N5794U |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 40V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung max | 600mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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