Artikelnummer | JAN2N6300 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Darlington |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 8A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Leistung max | 75W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-213AA, TO-66-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-66 (TO-213AA) |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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