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| Artikelnummer | APTGT200A120G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 280A |
| Leistung max | 890W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 140A SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 1200V 140A SP3
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 600V 150A SP2
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
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