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| Artikelnummer | APT60GF120JRDQ3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 149A |
| Leistung max | 625W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.08nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Auf Lager: 2
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Auf Lager: 3
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 15
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Auf Lager: 25
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Auf Lager: 375
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Auf Lager: 0
