Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT50GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation APT50GS60BRDQ2G

Artikelnummer
APT50GS60BRDQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 93A 415W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)

  • 1 pcs

    5.90500/pcs

  • 10 pcs

    5.31350/pcs

  • 25 pcs

    4.84120/pcs

  • 100 pcs

    4.36890/pcs

  • 250 pcs

    4.01464/pcs

  • 500 pcs

    3.66041/pcs
Gesamt:5.90500/pcs Unit Price:
5.90500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT50GS60BRDQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 93A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 195A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 50A
Leistung max 415W
Energie wechseln 755µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 235nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/225ns
Testbedingung 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
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