Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT50GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation APT50GN120L2DQ2G

Artikelnummer
APT50GN120L2DQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 134A 543W TO264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • 10 pcs

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    8.00460/pcs
  • 100 pcs

    7.35565/pcs
  • 250 pcs

    6.70660/pcs
Gesamt:9.52000/pcs Unit Price:
9.52000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT50GN120L2DQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 134A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Leistung max 543W
Energie wechseln 4495µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 28ns/320ns
Testbedingung 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Lieferantengerätepaket -
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