Artikelnummer | APT43GA90B |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 900V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 78A |
Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 129A |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 25A |
Leistung max | 337W |
Energie wechseln | 875µJ (on), 425µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Ladung | 116nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/82ns |
Testbedingung | 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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